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【醫(yī)院科室排隊叫號系統(tǒng)廠家】電光效應—晶體折射率n與施加外電場E有關

2023-10-21 09:15

       科學家的天職就是不斷奮斗,徹底揭示自然界的奧秘,掌握這些奧秘以便將來造福人類。

                                                                   ——居里夫人(M.Curie)

 一、 電光效應——晶體折射率n與施加外電場E有關  
       電光效應是指某些光學各向同性晶體在電場作用下顯示出光學各向異性的效應(雙折射效應)。折射率與所加電場強度的一次方成正比變化的稱為線性電光效應,即珀克(Pockels)效應,它于1893年由德國物理學家珀克發(fā)現;折射率與所加電場強度的二次方成正比變化的稱為二次電光效應,即克爾(Kerr)效應,它于1875年由英國物理學家克爾發(fā)現。

        電光調制的原理是基于晶體的線性電光效應,即電光材料(如LiNbO3晶體)的折射率n隨施加的外電場E而變化,即n=n(E),從而實現對激光的調制。

        電光調制器是一種集成光學器件,它把各種光學器件集成在同一個襯底上,從而增強了性能,減小了尺寸,提高了可靠性和可用性。

        圖4.1.1a表示的橫向珀克線性電光效應相位調制器,施加的外電場Ea=U/d的方向與y方向相同,光的傳輸方向沿著z方向,即外電場在光傳播方向的橫截面上。假設入射光為與y軸成45°角的線偏振光E,則可以把入射光用沿x方向和y方向的偏振光Ex和Ey表示,外加電場引入沿z軸傳播的雙折射,即平行于x軸和y軸的兩個正交偏振光經歷不同的折射率(和),其值為

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