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      1970年，美國貝爾實驗室的W.B.Boyle和G.E.Smith等人成功地研制出了新型的電荷耦合器件（CCD）,從而揭開了電荷傳輸器件的序幕。隨著光電與微電子技術的發(fā)展，CCD的發(fā)展異常迅速，并且在國民經濟、軍事、安防、科研直至生活等各個領域，均展現(xiàn)了十分廣闊的應用。

       CCD是在MOS晶體管的基礎上發(fā)展起來的，其基本結構是MOS（金屬-氧化物-半導體）電容結構，如圖4-5所示，它是在半導體P型硅（Si）作為襯底的表面上用氧化的辦法生成一層厚度為100?150nm的SiCh,再在SiCh表面蒸鍍一層金屬（如鋁），在襯底和金屬電極間加上一個偏置電壓（稱為柵電壓），就構成了一個MOS電容器。所以，CCD是由一行行緊密排列在硅襯底上的MOS電容器陣列構成的。若金屬電極與半導體之間施加的柵電壓為VG,則電壓一部分降落在氧化層（SiO2）上，而另一部分降落在半導體與SiCh界面的半導體表面層，形成表面電勢ΦS即 

UG=UO+ΦS            (4-1)

式中，Uo是降落在氧化層上的電壓。由于氧化層是絕緣的，所以在絕緣層中無電荷，其電場是均勻的。當氧化層厚度一定時，半導體上的表面電勢Φs由加在電極上的電壓UG決定。

       (1)光電轉換。當一束信號光投射到MOS電容上時，光子穿過透明電極及氧化層，進入P型硅(Si)襯底，襯底中處于價帶的電子將吸收光子的能量而躍入導帶，從而產生電子-空穴對。它們在外加電場的作用下，就會分別向電極兩端移動，因而產生光生信號電荷。

       (2)電荷的存儲。當柵極施加正偏壓UG(此時UG小于P型半導體的閾值電壓Uth)后，空穴被排斥，產生耗盡區(qū)。當U/G>Uth時，半導體與絕緣體界面上的表面勢Φs變高到將半導體體內的電子(少數載流子)吸引到表面，形成一層極薄的(約10¯²μm)但電荷濃度很高的反型層。信號電子所以被吸引到氧化層與半導體的交界面處，是因為那里的勢能最低，即存在勢阱。據估算，勢阱中能存儲的電子數可高達106個。表面勢與柵極電壓％、氧化層厚度dox有關，即與MOS電容容量Cox與UG的乘積有關，因此，勢阱的橫截面積取決于柵極電極的面積，，所以MOS電容存儲信號電荷的容量為

Q=COxUGA                         (4-2)

       (3)電荷的轉移。三相CCD中電荷的轉移過程如圖4-6所示。取CCD中四個彼此靠得很近的電極來觀察，若開始有一些電荷存儲在偏壓為10V的第二個電極下面的深勢阱里，其他電極上均加有大于閾值的較低電壓(如2V)。設圖4-6(a)為零時刻(初始時刻)，過t1時刻后，各電極上的電壓變?yōu)槿鐖D4-6(b)所示，第二個電極仍保持為10V,第三個電極上的電壓由2V變到10V,因這兩個電極靠得很近(幾μm),它們各自的對應勢阱將合并在一起。即原來在第二個電極下的電荷變?yōu)檫@兩個電極下勢阱所共有，如圖4-6(b)和圖4-6(c)所示。若此后電極上的電壓變?yōu)閳D4-6(d)所示，第二個電極電壓由10V變?yōu)?V,第三個電極電壓仍為10V,則共有的電荷轉移到第三個電極下面的勢阱中，如圖4-6(e)所示。由此可見，深勢阱及電荷包向右移動了一個位置。通常把CCD電極分為幾組，每一組稱為一相，并施加同樣的時鐘脈沖。CCD的內部結構決定了使其正常工作所需的相數。圖4-6所示的結構需要三相時鐘脈沖，其波形如圖4-6(f)所示，這樣的CCD稱為三相CCD。其電荷傳輸方式必須在三相交疊脈沖的作用下才能以一定的方向，逐單元地轉移。

圖4-6   三相CCD中電荷的轉移過程

       顯然，CCD電極間隙必須很小，如電極間隙比較大，則兩相鄰電極間的勢阱將被勢壘隔開，而不能合并，電荷也不能從一個電極向另一個電極平滑地轉移。能夠產生電荷完全耦合（這就是電荷耦合器件名稱的由來，顯然它不是什么光耦合器件）條件的最大間隙一般由具體電極結構、表面態(tài)密度等因素決定。理論計算和實驗證實，間隙的長度應小于3μm，這大致是同樣條件下半導體表面深耗盡區(qū)寬度的尺寸。當然，如果氧化層厚度、表面態(tài)密度不同，結果也會不同。但對絕大多數CCD,1μm的間隙長度是足夠小的。

       值得指出的是，我們通常所說的CCD的位數的位，不是這里的一個柵電極。對三相CCD來說，電荷包轉移了三個柵電極是時鐘脈沖的一個周期，我們把這三個柵電極稱為CCD的一個單元或CCD的一位，也就是我們通常所說的一個像元。顯然，對二相CCD來說，就是兩個柵電極為一位；對四相CCD則一位是四個柵電極了，所以千萬不能混淆。