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定義 GAA，一般指全環(huán)繞柵極晶體管，全稱是Gate-All-Around FET。GAA被廣泛認(rèn)為是鰭式結(jié)構(gòu)（FinFET）的下一代接任者。
1. 晶體管架構(gòu)的演變 晶體管已經(jīng)發(fā)展到通過按照摩爾定律不斷擴(kuò)大特征尺寸來降低制造成本，同時提高電路性能。

傳統(tǒng)的平面晶體管是通過將柵極放置在溝道區(qū)域的頂部而形成的，從而有效地使器件在二維平面上導(dǎo)電。然而，隨著柵極長度的縮放，這限制了通道電荷的柵極可控性。因此，引入了FinFET架構(gòu)，以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)特征尺寸縮放。在鰭式場效應(yīng)晶體管中，溝道的三面被柵極包圍。

通過增強(qiáng)通道電荷的柵極可控性，在更小的占位面積上實(shí)現(xiàn)了性能的提高、漏電流的降低和柵極長度的縮放。由于這些優(yōu)勢，F(xiàn)inFET允許從14納米及更高波長成功擴(kuò)展技術(shù)。然而，進(jìn)一步調(diào)整工作電壓極具挑戰(zhàn)性。為了克服這一限制，引入了在通道的所有四個側(cè)面都具有柵電極的柵極全能（GAA）晶體管。這樣可以在降低工作功耗的同時顯著提高性能，從而推動基于CMOS的新技術(shù)的發(fā)展。  三星MBCFETTM MBCFETTM是三星獨(dú)特的專利GAA版本。由于通道的納米線格式小，傳統(tǒng)的GAA需要更多的堆棧，這增加了工藝的復(fù)雜性。然而，三星的 MBCFETTM 通道以納米片形式形成，因此每個堆?？梢詫?shí)現(xiàn)更大的電流，從而實(shí)現(xiàn)更簡單的設(shè)備集成。 MBCFETTM的優(yōu)勢

最節(jié)能的技術(shù)：在過去的幾年里，該行業(yè)一直致力于降低工作電壓。較低的工作電壓等同于更高的電源效率。事實(shí)證明，使用鰭式場效應(yīng)晶體管架構(gòu)將工作電壓降低到0.75V以下是極其困難的。然而，由于MOSFET具有更好的開關(guān)特性，因此可以進(jìn)一步降低工作電壓。

靈活的設(shè)計優(yōu)化：根據(jù)產(chǎn)品要求，可以通過調(diào)制器件通道寬度來獲得高性能或低功耗。在鰭式場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)中，有必要以分立方式調(diào)制器件的數(shù)量，即鰭片。同時，在MBCFETTM中，納米片的寬度可以像平面型器件一樣靈活，因此可以在設(shè)計階段通過更好地利用面積來優(yōu)化電路性能。此外，與FinFET相比，MBCFETTM具有更大的潛力，可以通過垂直堆疊額外的納米片來提高同一區(qū)域的性能。

與現(xiàn)有流程兼容：三星將MBCFETTM定義為與現(xiàn)有的FinFET工藝兼容。這意味著MBCFETTM技術(shù)共享相同的成熟工藝工具和制造方法。這導(dǎo)致了一個具有成本效益的平臺和客戶產(chǎn)品的快速提升。

功耗、性能和面積優(yōu)勢 7nm FinFETvs 高級節(jié)點(diǎn) MBCFETTM 在 PPA 方面，與 7nm 工藝技術(shù)相比，設(shè)計人員可以預(yù)期功耗降低多達(dá) 50%，性能提高約 30%，面積減少 45%。 GAA的缺點(diǎn)是什么？ 它們比結(jié)型晶體管更昂貴。
與BJT相比，增益帶寬積更小。
跨導(dǎo)低，因此電壓增益低。
與BJT相比，它具有更短的切換時間。
安裝過程中需要特殊處理。
當(dāng) FET 性能隨著頻率的增加而下降時。